[发明专利]一种氧化镓异相集成垂直晶体管器件及其制备方法、应用

摘要

本发明涉及一种氧化镓异相集成垂直晶体管器件及其制备方法、应用，包括自下而上依次设置的漏极金属层、N+型β‑Ga2O3衬底和N‑型β‑Ga2O3漂移层；所述N‑型β‑Ga2O3漂移层通过离子注入形成对称的电流阻挡层，所述N‑型β‑Ga2O3漂移层上自下而上依次κ‑Ga2O3层和κ‑(AlxGa1‑x)2O3层；所述κ‑(AlxGa1‑x)2O3层表面中央设置有栅极金属层，所述栅极金属层两侧对称设置有源极金属层。针对现有亚稳相Ga2O3缺乏同质衬底的困境，通过异相集成κ‑(AlxGa1‑x)2O3/κ‑Ga2O3层与β‑Ga2O3层制备出垂直晶体管器件，具有高迁移率和高击穿场强的特性，在大功率、高频率领域具有潜力应用。