[发明专利]一种GCNMOS管和静电放电保护电路在审
| 申请号： | 202310993364.3 | 申请日： | 2023-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN116705843A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 周立人;周墨 | 申请（专利权）人： | 上海韬润半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/08;H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 童素珠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开了一种GCNMOS管和静电放电保护电路，其中一种GCNMOS管包括：P型衬底、N型有源区、第一电阻和“井”字形栅极结构；其中，所述N型有源区位于所述P型衬底上方，所述N型有源区包括源极区、漏极区和隔开所述源极区、漏极区之间的“井”字形沟道区；所述“井”字形栅极结构，覆盖在所述“井”字形沟道区的上方；所述“井”字形栅极结构包括至少一个横向栅极结构和至少一个纵向栅极结构，所述横向栅极结构与所述纵向栅极结构融合相交。本申请通过将GCNMOS管的栅极结构设计为横纵交叉的形式，增加漏端和源端的接触面积，缓解了电流密度集中的问题，提升了器件的鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gcnmos 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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