[发明专利]MOS结构自对准工艺的制备方法在审
| 申请号： | 202310977261.8 | 申请日： | 2023-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN116682735A | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 张帅;汪之涵;张良关 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 曾昭毅 |
| 地址： | 518118 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种MOS结构自对准工艺的制备方法，包括：提供基底和外延片，通过离子注入使外延片中形成JFET区域；在外延片背离基底的表面制备掩膜层，掩膜层开设有贯穿孔以露出外延片，通过离子注入使外延片中形成P阱区域；保留掩膜层，在P阱区域背离基底的表面形成多晶硅材质侧墙，侧墙附着在贯穿孔的孔壁上且使P阱区域局部露出；以掩膜层和侧墙作为遮蔽，对露出的P阱区域进行离子注入，使P阱区域中形成N+区域，然后移除掩膜层和侧墙；对外延片进行离子注入中形成P+区域。本申请采用自对准的方法，一方面减少了一层N+掩模版的使用，另一方面突破了MOS器件沟道长度于光刻机套刻精度以及偏差的限制，能制备沟道长度极小的MOS器件。 | ||
| 搜索关键词： | mos 结构 对准 工艺 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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