[发明专利]用于制造薄膜体声波谐振器FBAR滤波装置的方法在审
申请号: | 202310969496.2 | 申请日: | 2023-08-02 |
公开(公告)号: | CN116707477A | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 王健;邹洁;唐供宾 | 申请(专利权)人: | 深圳新声半导体有限公司 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02 |
代理公司: | 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 | 代理人: | 武旭妹 |
地址: | 518109 广东省深圳市福田区梅林街*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请提供一种用于制造薄膜体声波谐振器FBAR滤波装置的方法,包括:在压电层的第一表面,形成第一谐振器和第二谐振器各自的第一电极;在第一谐振器的第一电极和第二谐振器的第一电极,形成对应的第一谐振器的第一钝化层和第二谐振器的第一钝化层;在压电层的第二表面,形成第一谐振器和第二谐振器各自的第二电极,第二表面与第一表面相对;对形成的FBAR滤波装置进行射频性能测试;基于射频性能测试的结果,调整第一谐振器的第二电极的厚度;以及在第一谐振器的第二电极和第二谐振器的第二电极,形成对应的第一谐振器的第二钝化层和第二谐振器的第二钝化层。RF性能测试的结果调整电极或钝化层的厚度,提高整个晶圆片的一致性。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 薄膜 声波 谐振器 fbar 滤波 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳新声半导体有限公司,未经深圳新声半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310969496.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。