[发明专利]入射增强的超晶格红外探测器及其制备方法在审
申请号: | 202310966805.0 | 申请日: | 2023-08-03 |
公开(公告)号: | CN116705805A | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 文晋;薛建凯;李斌;冯伟;朱坤;苏莹;张培峰;张晋彪;尉尊康;刘明昊 | 申请(专利权)人: | 太原国科半导体光电研究院有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L31/101;H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/18 |
代理公司: | 山西星火合创知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14123 | 代理人: | 鲍文娟 |
地址: | 030012 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一种入射增强的超晶格红外探测器及其制备方法,超晶格红外探测器包括:红外材料,红外材料包括衬底和外延材料,所述外延材料设置在所述衬底上;互联结构;读出电路芯片,所述读出电路芯片通过所述互联结构与所述外延材料相连接;以及抗反膜,所述抗反膜设置在所述衬底的与所述外延材料相对的另一侧,所述抗反膜上设置有多个凹陷。根据本发明实施例的入射增强的超晶格红外探测器及其制备方法,通过在抗反膜上设置两种厚度,增强了对于两种波长红外信号的入射效果,以低成本的方式提升了超晶格红外探测器对于红外辐射的吸收量,提升了对于红外信号的检测能力并优化了成像效果。 | ||
搜索关键词: | 入射 增强 晶格 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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