[发明专利]一种batfet的控制电路、方法、系统、可读存储介质在审
| 申请号： | 202310947694.9 | 申请日： | 2023-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN116760396A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 徐辉;叶志斌;林凡;方鹏程 | 申请（专利权）人： | 武汉景捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/0412 | 分类号： | H03K17/0412;H02J7/00 |
| 代理公司： | 武汉天领众智专利代理事务所(普通合伙) 42300 | 代理人： | 高兰 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九峰街道九峰一路88号全球公共采购交*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提出了一种batfet的控制电路，数据选择器的输出端与比较器COMP_dischg的正极电性连接，比较器COMP_dischg的输出端与数据选择器的sel端和触发器PED电性连接，触发器PED与或门单元的A端电性连接，比较器COMP_syslow的输出端与或门单元的B端电性连接，或门单元的输出端与触发器RS的s端电性连接，比较器COMP_gatedet的输出端与触发器的r端电性连接，触发器RS的qb端与MOS管MP_help电性连接，MOS管MP_help与MOS管MN_Batfet电性连接，MOS管MN_Batfet与比较器COMP_dischg的负极、比较器COMP_syslow的负极以及比较器OTA的负极电性连接，数据选择器的sel端还与比较器OTA的输出端电性连接，基准电压产生电路模块ref_gen与比较器COMP_syslow的正极、比较器COMP_gatedet的负极以及比较器OTA的正极电性连接，比较器OTA的输出端与比较器COMP_gatedet的正极电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 batfet 控制电路 方法 系统 可读 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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