[发明专利]GaN基宽输入功率范围整流芯片及其制作方法、整流器在审
| 申请号： | 202310874138.3 | 申请日： | 2023-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN116598310A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/778;H01L29/861;H01L21/8252;H01L27/02;H02M7/00 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 莫荣津 |
| 地址： | 517000 广东省河源*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基宽输入功率范围整流芯片及其制作方法、整流器，属于半导体领域，芯片包括第一二极管、第二二极管和HEMT，第一二极管和第二二极管均自衬底往芯片表面依次包括非掺杂GaN层、AlGaN势垒层以及同时露出P层和N层的PN结，HEMT自衬底往芯片表面依次包括非掺杂GaN层和AlGaN势垒层，HEMT上设置有源极、栅极和漏极，源极与第一二极管的P层及第二二极管的N层电连接，漏极与第二二极管的P层电连接，第一二极管的N层连接有输入引脚，漏极连接有输出引脚，栅极连接有栅极引脚。通过HEMT控制是否将与HEMT并联的二极管短路，从而切换整流芯片的工作挡位，能够适应不同功率的输入电路。 | ||
| 搜索关键词： | gan 输入 功率 范围 整流 芯片 及其 制作方法 整流器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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