[发明专利]一种分层分段模式的大规模铌酸锂调相阵列结构在审
| 申请号： | 202310873483.5 | 申请日： | 2023-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN116931300A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 魏凯;李云超;李喜琪 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02F1/03;G02F1/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 刘静 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种分层分段模式的大规模铌酸锂调相阵列结构，该阵列结构包括：若干铌酸锂波导电极组合和隔离槽进行交替排列，且在波导传输方向上采用氮化硅波导进行层间耦合。相较于现有方案，本发明提出的阵列结构采用分层分段模式，通过层间耦合，将处于下层氮化硅传输的光信号传输到上层铌酸锂薄膜中，在铌酸锂薄膜层中使用分段形式传输进行相位调制，将下层氮化硅和上层铌酸锂分空间利用，充分利用了氮化硅芯片的面积进行光波导传输，压低整个芯片的面积，进一步缩减了大规模调相阵列的物理尺寸，有效提高了铌酸锂调相阵列的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分层 分段 模式 大规模 铌酸锂 调相 阵列 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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