[发明专利]一种沟槽隔离结构的形成方法在审

专利信息
申请号: 202310850629.4 申请日: 2023-07-11
公开(公告)号: CN116864445A 公开(公告)日: 2023-10-10
发明(设计)人: 刘聪;储郁冬 申请(专利权)人: 上海积塔半导体有限公司
主分类号: H01L21/762 分类号: H01L21/762;H01L21/3105
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 赵娟娟
地址: 200123 上海市浦东新区中国*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 本申请提供了一种沟槽隔离结构的形成方法。所述方法包括如下步骤:沟槽刻蚀步骤,隔离材料沉积步骤,隔离层刻蚀步骤,溅射步骤;重复所述隔离材料沉积步骤、所述隔离层刻蚀步骤以及溅射步骤,直至在所述沟槽内填满隔离材料,且所述拐角处的隔离层的平坦度满足预设平坦阈值;以及平坦化步骤。本申请通过改善沟槽填充工艺,采用沉积加刻蚀加溅射模式,在保证较大深宽比的填充能力的基础上,有效改善沟槽拐角处隔离层的平坦度,改善膜层表面均匀性,降低后续化学机械研磨工艺风险和挑战,提高产品竞争力。
搜索关键词: 一种 沟槽 隔离 结构 形成 方法
【主权项】:
暂无信息
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