[发明专利]一种沟槽隔离结构的形成方法在审
申请号: | 202310850629.4 | 申请日: | 2023-07-11 |
公开(公告)号: | CN116864445A | 公开(公告)日: | 2023-10-10 |
发明(设计)人: | 刘聪;储郁冬 | 申请(专利权)人: | 上海积塔半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;H01L21/3105 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 赵娟娟 |
地址: | 200123 上海市浦东新区中国*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请提供了一种沟槽隔离结构的形成方法。所述方法包括如下步骤:沟槽刻蚀步骤,隔离材料沉积步骤,隔离层刻蚀步骤,溅射步骤;重复所述隔离材料沉积步骤、所述隔离层刻蚀步骤以及溅射步骤,直至在所述沟槽内填满隔离材料,且所述拐角处的隔离层的平坦度满足预设平坦阈值;以及平坦化步骤。本申请通过改善沟槽填充工艺,采用沉积加刻蚀加溅射模式,在保证较大深宽比的填充能力的基础上,有效改善沟槽拐角处隔离层的平坦度,改善膜层表面均匀性,降低后续化学机械研磨工艺风险和挑战,提高产品竞争力。 | ||
搜索关键词: | 一种 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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