[发明专利]用于存储阵列的熔断器单元及其处理方法、存储阵列有效
| 申请号： | 202310824954.3 | 申请日： | 2023-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN116580746B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 俞剑;方少健 | 申请（专利权）人： | 浙江力积存储科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京慧加伦知识产权代理有限公司 16035 | 代理人： | 李永敏 |
| 地址： | 321000 浙江省金华市金东*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开的实施例提供一种用于存储阵列的熔断器单元及其处理方法、存储阵列。熔断器单元包括：多个熔断器子单元。其中，每个熔断器子单元包括多个熔断器组和一个第一熔断器。每个熔断器组包括多个第二熔断器。每个熔断器组能够存储存储阵列的一个缺陷存储地址并且每个熔断器组与存储阵列的一个冗余存储地址相关联。在目标熔断器子单元的目标熔断器组中的所有第二熔断器的值相同的情况下，目标熔断器子单元的第一熔断器用于指示是否使用目标冗余存储地址来替换指定存储地址。目标冗余存储地址是与目标熔断器组相关联的冗余存储地址。指定存储地址是目标熔断器组所存储的地址。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储 阵列 熔断器 单元 及其 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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