[发明专利]用于存储阵列的熔断器单元及其处理方法、存储阵列有效

专利信息
申请号: 202310824954.3 申请日: 2023-07-06
公开(公告)号: CN116580746B 公开(公告)日: 2023-09-26
发明(设计)人: 俞剑;方少健 申请(专利权)人: 浙江力积存储科技有限公司
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00
代理公司: 北京慧加伦知识产权代理有限公司 16035 代理人: 李永敏
地址: 321000 浙江省金华市金东*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 用于 存储 阵列 熔断器 单元 及其 处理 方法
【说明书】:

本公开的实施例提供一种用于存储阵列的熔断器单元及其处理方法、存储阵列。熔断器单元包括:多个熔断器子单元。其中,每个熔断器子单元包括多个熔断器组和一个第一熔断器。每个熔断器组包括多个第二熔断器。每个熔断器组能够存储存储阵列的一个缺陷存储地址并且每个熔断器组与存储阵列的一个冗余存储地址相关联。在目标熔断器子单元的目标熔断器组中的所有第二熔断器的值相同的情况下,目标熔断器子单元的第一熔断器用于指示是否使用目标冗余存储地址来替换指定存储地址。目标冗余存储地址是与目标熔断器组相关联的冗余存储地址。指定存储地址是目标熔断器组所存储的地址。

技术领域

本公开的实施例涉及半导体器件技术领域,具体地,涉及用于存储阵列的熔断器单元及其处理方法、存储阵列。

背景技术

存储器通常包含存储阵列。存储阵列包括多个存储单元。每个存储单元对应一个行地址和一个列地址。在需要访问存储阵列中的指定存储单元时,可向存储器提供该指定存储单元的行地址和列地址。行地址和列地址可由地址解码电路系统处理以选择存储阵列中的行线及列线。

当制造存储器时,有缺陷的存储单元(也可称为“缺陷存储单元”)可能出现于存储阵列中。为了提高存储器的良率,除了常规存储单元之外,通常会设计额外的冗余存储单元。冗余存储单元位于备用的行或者列。一旦存储阵列的行或者列中出现坏点而无法访问时,则可以启用备用的行或者列来替代出现坏点的行或者列(从而使用冗余存储单元来替代缺陷存储单元),以保证存储阵列的功能正常。

出现坏点的行或者列的地址需要存储在熔断器组中。一个熔断器组与一个备用的行或列相关联。当存储阵列被访问的地址与熔断器组中存储的地址对应时,表示该地址对应的行或列已损坏,需要将访问链接到与熔断器组相关联的备用地址(冗余存储地址)。

发明内容

本文中描述的实施例提供了一种用于存储阵列的熔断器单元及其处理方法、存储阵列。

根据本公开的第一方面,提供了一种用于存储阵列的熔断器单元。熔断器单元包括:多个熔断器子单元。其中,每个熔断器子单元包括多个熔断器组和一个第一熔断器。每个熔断器组包括多个第二熔断器。每个熔断器组能够存储存储阵列的一个缺陷存储地址并且每个熔断器组与存储阵列的一个冗余存储地址相关联。在目标熔断器子单元的目标熔断器组中的所有第二熔断器的值相同的情况下,目标熔断器子单元的第一熔断器用于指示是否使用目标冗余存储地址来替换指定存储地址。目标冗余存储地址是与目标熔断器组相关联的冗余存储地址。指定存储地址是目标熔断器组所存储的地址。

在本公开的一些实施例中,在目标熔断器子单元的目标熔断器组中的所有第二熔断器的值都为第一值的情况下,如果目标熔断器子单元的第一熔断器的值为第二值,则目标熔断器子单元的第一熔断器指示使用目标冗余存储地址来替换指定存储地址。

在本公开的一些实施例中,在目标熔断器子单元的目标熔断器组中的所有第二熔断器的值都为第二值的情况下,如果目标熔断器子单元的第一熔断器的值为第二值,则目标熔断器子单元的第一熔断器指示目标冗余存储地址处的冗余存储单元已损坏。

在本公开的一些实施例中,在目标熔断器子单元的目标熔断器组中的所有第二熔断器的值都为第一值的情况下,如果目标熔断器子单元的第一熔断器的值为第一值,则目标熔断器子单元的第一熔断器指示目标熔断器组未使用。

在本公开的一些实施例中,在目标熔断器子单元的目标熔断器组中的多个第二熔断器的值不完全相同的情况下,目标冗余存储地址被用于替换指定存储地址。

在本公开的一些实施例中,第一值为0且第二值为1。

在本公开的一些实施例中,每个熔断器组中的第二熔断器的数量大于或者等于缺陷存储地址的位数。

在本公开的一些实施例中,熔断器单元的不同熔断器组中的第二熔断器的数量不完全相同。

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