[发明专利]用于存储阵列的熔断器单元及其处理方法、存储阵列有效
申请号: | 202310824954.3 | 申请日: | 2023-07-06 |
公开(公告)号: | CN116580746B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 俞剑;方少健 | 申请(专利权)人: | 浙江力积存储科技有限公司 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00 |
代理公司: | 北京慧加伦知识产权代理有限公司 16035 | 代理人: | 李永敏 |
地址: | 321000 浙江省金华市金东*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 存储 阵列 熔断器 单元 及其 处理 方法 | ||
1.一种用于存储阵列的熔断器单元,其特征在于,所述熔断器单元包括:多个熔断器子单元,其中,每个熔断器子单元包括多个熔断器组和一个第一熔断器,每个熔断器组包括多个第二熔断器,
其中,每个熔断器组能够存储所述存储阵列的一个缺陷存储地址并且每个熔断器组与所述存储阵列的一个冗余存储地址相关联,在目标熔断器子单元的目标熔断器组中的所有第二熔断器的值相同的情况下,所述目标熔断器子单元的所述第一熔断器用于指示是否使用目标冗余存储地址来替换指定存储地址,所述目标冗余存储地址是与所述目标熔断器组相关联的冗余存储地址,所述指定存储地址是所述目标熔断器组所存储的地址。
2.根据权利要求1所述的熔断器单元,其特征在于,在所述目标熔断器子单元的所述目标熔断器组中的所有第二熔断器的值都为第一值的情况下,如果所述目标熔断器子单元的所述第一熔断器的值为第二值,则所述目标熔断器子单元的所述第一熔断器指示使用所述目标冗余存储地址来替换所述指定存储地址。
3.根据权利要求1或2所述的熔断器单元,其特征在于,在所述目标熔断器子单元的所述目标熔断器组中的所有第二熔断器的值都为第二值的情况下,如果所述目标熔断器子单元的所述第一熔断器的值为所述第二值,则所述目标熔断器子单元的所述第一熔断器指示所述目标冗余存储地址处的冗余存储单元已损坏。
4.根据权利要求3所述的熔断器单元,其特征在于,在所述目标熔断器子单元的所述目标熔断器组中的所有第二熔断器的值都为第一值的情况下,如果所述目标熔断器子单元的所述第一熔断器的值为所述第一值,则所述目标熔断器子单元的所述第一熔断器指示所述目标熔断器组未使用。
5.根据权利要求1或2所述的熔断器单元,其特征在于,在所述目标熔断器子单元的所述目标熔断器组中的所述多个第二熔断器的值不完全相同的情况下,所述目标冗余存储地址被用于替换所述指定存储地址。
6.一种处理方法,用于处理根据权利要求1至5中任一项所述的熔断器单元,其特征在于,所述处理方法包括:
接收所述存储阵列的缺陷存储地址;
确定所述缺陷存储地址是否等于第一指定值或第二指定值,其中,所述第一指定值的每一位都为第一值,所述第二指定值的每一位都为第二值;以及
响应于所述缺陷存储地址不等于所述第一指定值且不等于所述第二指定值,将所述缺陷存储地址写入第一熔断器子单元中未使用的熔断器组。
7.根据权利要求6所述的处理方法,其特征在于,所述处理方法还包括:
响应于所述缺陷存储地址等于所述第二指定值,确定所述第一熔断器子单元中是否存在第一特定熔断器组且所述第一熔断器子单元的第一熔断器的值是否不等于所述第二值,其中,所述第一特定熔断器组的值等于所述第一指定值;
响应于所述第一熔断器子单元中存在所述第一特定熔断器组且所述第一熔断器子单元的所述第一熔断器的值不等于所述第二值,将所述缺陷存储地址写入所述第一熔断器子单元中未使用的熔断器组;
响应于所述第一熔断器子单元中不存在所述第一特定熔断器组或者所述第一熔断器子单元的所述第一熔断器的值等于所述第二值,将所述缺陷存储地址写入第二熔断器子单元中未使用的熔断器组;
响应于所述缺陷存储地址等于所述第一指定值,确定所述第一熔断器子单元中是否存在第二特定熔断器组且所述第一熔断器子单元的所述第一熔断器的值是否等于所述第一值,其中,所述第二特定熔断器组的值等于所述第二指定值;
响应于所述第一熔断器子单元中不存在所述第二特定熔断器组或者所述第一熔断器子单元的所述第一熔断器的值不等于所述第一值,将所述缺陷存储地址写入所述第一熔断器子单元中未使用的熔断器组并且将所述第二值写入所述第一熔断器子单元的第一熔断器;以及
响应于所述第一熔断器子单元中存在所述第二特定熔断器组且所述第一熔断器子单元的所述第一熔断器的值等于所述第一值,将所述缺陷存储地址写入所述第二熔断器子单元中未使用的熔断器组并且将所述第二值写入所述第二熔断器子单元的第一熔断器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江力积存储科技有限公司,未经浙江力积存储科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310824954.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。