[发明专利]SiC基GaN外延结构的制备方法及结构、HBT的制备方法及HBT在审
| 申请号： | 202310785761.1 | 申请日： | 2023-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN116798856A | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 田宇 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B19/12;C23C16/32;C23C16/34;H01L21/331;H01L29/737 |
| 代理公司： | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 李洋;李丹 |
| 地址： | 312035 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本申请实施例涉及一种SiC基GaN外延结构的制备方法及结构、HBT的制备方法及HBT，通过在SiC衬底上外延生长SiC缓冲层，在SiC缓冲层上外延生长Al |
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| 搜索关键词： | sic gan 外延 结构 制备 方法 hbt | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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