[发明专利]超导薄膜的沉积方法、量子芯片在审
| 申请号： | 202310777600.8 | 申请日： | 2023-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN116926486A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名;请求不公布姓名;张辉 | 申请（专利权）人： | 本源量子计算科技（合肥）股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;H10N60/85;H10N60/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超导薄膜的沉积方法、量子芯片。沉积方法包括：在真空环境中沿第一方向设置衬底，并沿与第一方向不平行的第二方向设置超导靶材；在真空环境中通入氮气和惰性气体；在与第一方向垂直的第三方向上对衬底施加偏压，同时在与第二方向垂直的第四方向上施加直流电压，以在衬底上沉积超导薄膜。施加偏压可以提高等离子体内带电粒子的能量，带电粒子轰击衬底表面的薄膜，去除疏松、大体积的薄膜晶粒，并填补有缺失或缺陷的地方，使薄膜晶粒更细化且结构变得越来越致密，从而能够使超导薄膜更加均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 超导 薄膜 沉积 方法 量子 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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