[发明专利]高硅铝合金件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310772320.8 | 申请日： | 2023-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN116765424A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 张振林;陈辉;刘艳;李果;胡登文;吴影;李海舟 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | B22F10/28 | 分类号： | B22F10/28;B33Y10/00;B33Y70/10;B33Y80/00;B22F1/12 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 | 代理人： | 任燕妮 |
| 地址： | 610000*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及合金材料的制备技术领域。公开了高硅铝合金件及其制备方法。高硅铝合金件的制备方法，包括：将铜含量为1～6wt％的高硅铝粉作为原料粉，采用激光选区熔化工艺制造高硅铝合金件。高硅铝合金件，采用上述制备方法制得。本申请提供的方法通过铜来达到熔池凝固过程中抑制硅相的生长以及促进硅相的球化，从而来抑制激光选区熔化过程中裂纹的萌生和扩展，进而获得力学性能好的高硅铝合金件的目的。该方法制备周期短，不存在刀具消耗，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 铝合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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