[发明专利]一种利用空位缺陷调节过渡金属硫族化合物宽光谱探测的方法在审
| 申请号： | 202310769296.2 | 申请日： | 2023-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN116924352A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张永哲;马洋;李景涛 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;G01J3/28;B82Y30/00;C23C16/30 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种利用空位缺陷调节过渡金属硫族化合物宽光谱探测的方法，属于二维材料领域。本方法采用过渡金属氧化物作为金属源，两种不同的硫族元素作为硫源，使用化学气相沉积的方法生长出元素均匀分布的单层三元过渡金属硫族化合物。利用合金元素之间化学键的稳定性差异，通过氢气辅助退火的方式使不稳定的化学键断裂，产生的硫族元素空位缺陷均匀分布在三元过渡金属硫族化合物中。硫族元素空位缺陷在过渡金属硫族化合物的导带和价带之间引入缺陷能级，产生新的光致发光峰，拓宽了其光谱探测范围。该实验方法工艺简单，重复性好，对缺陷的种类、分布和数量能进行精确调控，适合大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 空位 缺陷 调节 过渡 金属 化合物 光谱 探测 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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