[发明专利]微柱-孔阵列结构MEMS静电驱动器及其制备方法在审
| 申请号： | 202310755086.8 | 申请日： | 2023-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN116760313A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 吴亚明;周碧青;凌必赟;徐巧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H02N1/00 | 分类号： | H02N1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种微柱‑孔阵列结构MEMS静电驱动器及其制备方法，采用了微柱‑孔阵列电极驱动结构，充分利用大面积可动功能部件的背面空间，大幅度提高占空比，微柱‑孔阵列驱动结构密度高、数量多，环绕微柱一周均能产生静电力，静电驱动力密度大，特别适合于驱动平板结构上下平动以及扭转角度适中的扭转运动，从而可提高静电驱动器的力密度、减小芯片面积、降低芯片成本，对推动MEMS静电驱动器的发展具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 微柱 阵列 结构 mems 静电 驱动器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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