[发明专利]一种Bi系高温超导块体的制备方法在审
| 申请号： | 202310736014.9 | 申请日： | 2023-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN116621576A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张胜楠;邵柏淘;刘国庆;刘学谦;金利华;李建峰;张平祥 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;H01B12/00;C04B35/622;C04B35/65 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 马小燕 |
| 地址： | 710016 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Bi系高温超导块体的制备方法，该方法包括：一、将Bi系前驱体粉末冷压得到Bi系冷压块体；二、一次烧结得到Bi系烧结块体；三、中间压制得到Bi系压制块体；四、二次烧结得到Bi系高温超导块体。本发明采用两次烧结结合中间压制的方法，并对中间压制和两次烧结工艺参数进行控制，以获得较少的晶核，并提高晶粒生长速率，使得大晶粒充分生长，实现了片状粉末的密堆积以及形核和生长过程的解耦，得到具有更高晶间连接性的块体，进而获得具有高超导相含量和高织构度Bi系高温超导块体，且制备方法简单，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bi 高温 超导 块体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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