[发明专利]一种Bi系高温超导块体的制备方法

权利要求书

1.一种Bi系高温超导块体的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一、将具有特定Bi、Pb、Sr、Ca、Cu原子比的Bi系前驱体粉末进行冷压，得到直径R₁的Bi系冷压块体；

步骤二、将步骤一中得到的Bi系冷压块体进行一次烧结，得到Bi系烧结块体；

步骤三、将步骤二中得到的Bi系烧结块体进行中间压制，得到直径R₂的Bi系压制块体，且R₂＞R₁；

步骤四、将步骤三中得到的Bi系压制块体进行二次烧结，得到Bi系高温超导块体。

2.根据权利要求1所述的一种Bi系高温超导块体的制备方法，其特征在于，步骤一中所述Bi系前驱体粉末中特定Bi、Pb、Sr、Ca、Cu原子比为1.65～1.95：0.30～0.45：1.85～2.00：1.80～2.20：2.80～3.20，则步骤四中得到的Bi系高温超导块体为Bi-2223高温超导块体；或者步骤一中所述Bi系前驱体粉末中特定Bi、Pb、Sr、Ca、Cu原子比为1.65～2.05：0～0.45：1.85～2.00：0.80～1.20：1.80～2.20，则步骤四中得到的Bi系高温超导块体为Bi-2212高温超导块体。

3.根据权利要求1所述的一种Bi系高温超导块体的制备方法，其特征在于，步骤一中所述Bi系冷压块体的直径R₁≥7mm，步骤三中所述中间压制的变形量不小于30％，且R₂/R₁≥1.15。

4.根据权利要求1所述的一种Bi系高温超导块体的制备方法，其特征在于，当步骤四中得到的Bi系高温超导块体为Bi-2223高温超导块体时，步骤二中所述一次烧结的烧结气氛中氧分压为0.1％～7.5％，一次烧结时间为15h～50h，步骤四中所述二次烧结的烧结气氛中氧分压为7.5％～25％，二次烧结时间为50h以上。

5.根据权利要求4所述的一种Bi系高温超导块体的制备方法，其特征在于，所述一次烧结的烧结气氛中氧分压为0.1％，温度为770℃～800℃，或者一次烧结的烧结气氛中氧分压为7.5％，温度为810℃～835℃。

6.根据权利要求4所述的一种Bi系高温超导块体的制备方法，其特征在于，所述二次烧结的烧结气氛中氧分压为7.5％，温度为810℃～835℃，或者二次烧结的烧结气氛中氧分压为25％，温度为840℃～870℃。

7.根据权利要求1所述的一种Bi系高温超导块体的制备方法，其特征在于，当步骤四中得到的Bi系高温超导块体为Bi-2212高温超导块体时，步骤二中所述一次烧结采用纯氧气氛，一次烧结温度为780℃～880℃，时间为10h～50h，步骤四中所述二次烧结采用纯氧气氛，二次烧结温度为885℃～895℃，时间为5min～40min。