[发明专利]一种过渡金属掺杂的混合离子/电子导体界面层包覆的高镍无钴正极材料

摘要

一种过渡金属掺杂的混合离子/电子导体界面层包覆的高镍无钴正极材料，所述过渡金属掺杂的混合离子/电子导体界面层的化学式为LiaMbNcOd，其中M为V、Fe、Ni、Co、Cu中的一种，N为Al、Zr、Sn、Si中的一种，a的值为1或者2，0＜b≤0.5，0.5≤c＜1，2≤d≤3。本发明减少了高镍无钴材料表面残锂的形成。解决了高镍无钴正极材料在电化学过程中发生的结构坍塌和容量衰减较快的问题，所得正极材料循环稳定性好，可逆容量高。