[发明专利]一种基于刻蚀坑可控生长的原子级抛光系统和方法在审
| 申请号： | 202310708869.0 | 申请日： | 2023-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN116732597A | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 刘国兴;崔维杰;叶子心;叶璟天;张鑫泉 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C25F7/00 | 分类号： | C25F7/00;C25F3/16;G01B11/30 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 王法男 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种电化学抛光领域的基于刻蚀坑可控生长的原子级抛光系统和方法，抛光系统包括抛光槽、清洗槽、送料机构、电化学抛光单元；其中抛光槽包括公转运动电机、公转电机基座、支撑杆旋转基座和“照度反馈”装置；清洗槽可容纳清洗液；送料机构包括水平驱动推杆，竖直驱动推杆，抓手机构，主要夹持电化学抛光单元进行空间位置转移；电化学抛光单元包括支撑杆、待抛光工件、自转电机、电解反应阴极板、自转电机控制器、上连接杆、下连接杆，负责夹持工件进行抛光或清洗，并且可以实现工件的自转运动。本发明还公开基于本抛光系统的电化学抛光方法，包括：抛光工艺设计，工件的运动形式，在线测量方法等；本发明可实现光学微结构元件的超精密原子级抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 刻蚀 可控 生长 原子 抛光 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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