[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极型晶体管、制造方法及器件在审
| 申请号： | 202310689700.5 | 申请日： | 2023-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN116435354A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 段湘艳;方敏 | 申请（专利权）人： | 广东巨风半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331;H01L29/861 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文 |
| 地址： | 510000 广东省广州市黄埔区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管、制造方法及器件。逆导型绝缘栅双极型晶体管包括：集成在衬底上的二极管部和与所述二极管部连接的绝缘栅双极型晶体管部；其中，所述二极管部包括：第一正面金属区；与所述第一正面金属区底部连接的多个侧翼注入沟槽；设置在各个所述侧翼注入沟槽顶部两侧的第一P+型发射区；依次叠层设置在所述第一正面金属区下方的第一P型基区、第一N型漂移区、第一N型缓冲区、N型集电区以及第一背面金属区。本发明通过在逆导型绝缘栅双极型晶体管的二极管部中引入侧翼注入沟槽，通过在沟槽侧翼或侧壁注入杂质离子，以改变二极管区域的电场分布等，达到提高器件击穿电压鲁棒性的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 绝缘 栅双极型 晶体管 制造 方法 器件 | ||
【主权项】：
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