[发明专利]一种逆导绝缘栅双极型晶体管结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310673738.3 | 申请日： | 2023-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN116435353A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 胡洪兴;方敏 | 申请（专利权）人： | 广东巨风半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文 |
| 地址： | 510555 广东省广州市黄埔区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种逆导绝缘栅双极型晶体管结构及其制备方法，涉及功率器件技术领域，其包括绝缘栅双极型晶体管区域和二极管区域；二极管区域包括快恢复二极管阴极结构、第二漂移区结构和快恢复二极管阳极结构；快恢复二极管阴极结构包括二极管区域的下表面N+区和P+区组成的场电荷抽取二极管结构和位于场电荷抽取二极管结构上表面的第三金属结构；第二漂移区结构包括第二N‑基区和第二N型缓冲区。通过采用这种提高的FCE效应的二极管，在IGBT的反向恢复后期能够得到注入空穴的支持，从而可以持续输出稳定下降的电流，使得电流和电压的震荡减弱，实现了开关二极管的软恢复过程，并能够降低正向导通和反向恢复的总消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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