[发明专利]一种GaAs晶锭的切割方法在审
| 申请号： | 202310672502.8 | 申请日： | 2023-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN116619603A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 吴瑶;师晋海;王金灵;田玉莲;周铁军 | 申请（专利权）人： | 广东先导微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D5/00;B23K26/362 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 祝萍萍 |
| 地址： | 511517 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种GaAs晶锭的切割方法，所述切割方法包括以下步骤：粘接晶锭：将待切割的GaAs晶锭粘接固定，然后使用激光在GaAs晶锭侧面围绕晶锭360°进行划线；变速切割：将划线后的GaAs晶锭安装至切割机加工室；将砂浆喷覆在切割线表面，然后进行变速切割；后加工：切割完成后，将切割得到的产品进行脱胶、清洗、干燥，得到GaAs晶片。本申请的切割方法能够有效降低GaAs晶片的翘曲度、总厚度偏差和亚损伤层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 切割 方法 | ||
【主权项】：
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