[发明专利]一种GaAs晶锭的切割方法在审
| 申请号： | 202310672502.8 | 申请日： | 2023-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN116619603A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 吴瑶;师晋海;王金灵;田玉莲;周铁军 | 申请（专利权）人： | 广东先导微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D5/00;B23K26/362 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 祝萍萍 |
| 地址： | 511517 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 切割 方法 | ||
1.一种GaAs晶锭的切割方法，其特征在于，包括以下步骤：
粘接晶锭：将待切割的GaAs晶锭粘接固定，然后使用激光在GaAs晶锭侧面围绕晶锭360°进行划线；
变速切割：将划线后的GaAs晶锭安装至切割机加工室；
将砂浆喷覆在切割线表面，然后进行变速切割，其中变速切割时，切割线的线速度与切割长度的关系如下式(1)所示：
线速度V实时＝V下限+(V上限*(L实时/2R))式(1)；
式(1)中，V下限为线速度下限，V上限为线速度上限，L实时为切割长度；R为晶圆半径；
后加工：切割完成后，将切割得到的产品进行脱胶、清洗、干燥，得到GaAs晶片。
2.如权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述切割长度的关系式为：L实时＝SQRT(R*R-(R-X)*(R-X))，其中，X为切割位置，R为晶圆半径。
3.如权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述划线的宽度为钢线直径的60-80％。
4.如权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述划线的深度和划线的宽度的比为1:2-3。
5.如权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述切割机加工室还含有冷却液供给装置，所述冷却液供给装置将冷却液均匀的供给切割线，以减少切割位置产生的热量。
6.如权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述切割线的张力为5-8N。
7.如权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述GaAs晶锭的粘接长度为200-300nm。
8.如权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述GaAs晶锭的尺寸为4-6寸。
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