[发明专利]一种基于多层沟槽刻蚀的超级结肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202310667545.7 | 申请日： | 2023-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN116864543A | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 袁昊;雷邑平;汤晓燕;康皓博;宋庆文;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于多层沟槽刻蚀的超级结肖特基二极管，包括：由下至上依次设置的欧姆接触阴极、N+衬底层、N型碳化硅外延基层、至少一层N型碳化硅外延层和肖特基接触阳极；N型碳化硅外延基层开设有底层沟槽；每层N型碳化硅外延层开设有沟槽，沟槽由槽口至槽底方向贯穿N型碳化硅外延层，沟槽的内壁与底层沟槽的内壁位于同一平面，且沟槽和底层沟槽的内侧壁上覆盖有第一P型离子注入掺杂区；沟槽和底层沟槽内均填充有介质层，沟槽的深度为5～10μm。本发明还提供一种基于多层沟槽刻蚀的超级结肖特基二极管的制备方法。本发明利用浅沟槽实现深沟槽结构，提高了器件的耐高压性能，实现电荷平衡，以提升器件整体的电荷平衡情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多层 沟槽 刻蚀 超级 结肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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