[发明专利]一种基于掺杂氮化铝薄膜的铁电二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202310662600.3 | 申请日： | 2023-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN116828971A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 任青华;刘鑫;丁泽新;周群辉;刘宇熙;王楠 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10N70/00 |
| 代理公司： | 北京卓胜佰达知识产权代理有限公司 16026 | 代理人： | 刘冬梅 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明公开一种基于掺杂氮化铝薄膜的铁电二极管及其制备方法，涉及半导体制造技术领域。所述铁电二极管包括：衬底、氧化物绝缘层、底电极、铁电层、顶电极、通孔和钝化保护层；所述通孔包括第一通孔和第二通孔；在所述衬底上生长有所述氧化物绝缘层；所述氧化物绝缘层上沉积有所述底电极；所述底电极的部分区域上生长有所述铁电层；所述铁电层上沉积有所述顶电极；所述顶电极和所述底电极上生长有所述钝化保护层；所述顶电极通过所述第一通孔引出第一引线；所述底电极通过所述第二通孔引出第二引线；所述铁电层采用Al |
||
| 搜索关键词： | 一种 基于 掺杂 氮化 薄膜 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学，未经上海大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310662600.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
