[发明专利]一种多层堆叠垂直互连结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202310656875.6 | 申请日： | 2023-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN116525463A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 张燚 | 申请（专利权）人： | 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 200000 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多层堆叠垂直互连结构的形成方法，包括：在第一载片的第一面形成第一互连结构，其中第一互连结构具有第一孔；将具有第二互连结构的第二载片与第一载片键合，其中第二互连结构位于所述第二载片的第一面，并具有第二孔；将第二载片的第二面减薄；在第二载片的第二面形成第三互连结构，第三互连结构具有第三孔；将具有第四互连结构的第三载片与第二载片键合，减薄第三载片的第二面，并在第三载片的第二面形成第五互连结构，其中第四互连结构具有第四孔，第五互连结构具有第五孔；根据第五孔至第一孔刻蚀第三载片至第一载片形成第一通孔；以及在第一通孔的内壁沉积无机材料层，并在第一通孔内填充金属形成第一导电通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 堆叠 垂直 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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