[发明专利]一种多层堆叠垂直互连结构及其形成方法

权利要求书

1.一种多层堆叠垂直互连结构的形成方法，其特征在于，包括：

在第一载片的第一面形成第一互连结构，其中所述第一互连结构具有第一孔；

将具有第二互连结构的第二载片与所述第一载片键合，其中所述第二互连结构位于所述第二载片的第一面，并具有第二孔；

将所述第二载片的第二面减薄，其中所述第二载片的第二面与第一面相对；

在所述第二载片的第二面形成第三互连结构，所述第三互连结构具有第三孔；

将具有第四互连结构的第三载片与所述第二载片键合，减薄所述第三载片的第二面，并在所述第三载片的第二面形成第五互连结构，其中所述第四互连结构位于第三载片的第一面，第三载片的第一面与第二面相对，所述第四互连结构具有第四孔，所述第五互连结构具有第五孔；

根据所述第五孔至所述第一孔刻蚀所述第三载片至所述第一载片形成第一通孔，其中所述第五孔至所述第一孔同轴；以及

在所述第一通孔的内壁沉积无机材料层，并在所述第一通孔内填充金属形成第一导电通孔。

2.根据权利要求1所述的多层堆叠垂直互连结构的形成方法，其特征在于，所述第一通孔贯穿所述第三载片和所述第二载片，未贯穿所述第一载片，其中所述第一通孔包括位于第一载片中的第一段、位于第二载片中的第二段以及位于第三载片中的第三段，且第三段至第一段的尺寸依次减小。

3.根据权利要求2所述的多层堆叠垂直互连结构的形成方法，其特征在于，还包括：

将芯片倒装布置在第三载片的第二面，并塑封芯片形成塑封层；以及

将第一载片的第二面减薄至露出第一导电通孔，并在第一载片的第二面依次布置第六互连结构、第二绝缘层、第二焊盘和第二焊球，其中第一载片的第二面与第一面相对。

4.根据权利要求1所述的多层堆叠垂直互连结构的形成方法，其特征在于，所述在第一载片的第一面形成第一互连结构包括：

在所述第一载片的第一面布置第一介质层，然后刻蚀所述第一介质层形成线路图形，并在线路图形中填充金属形成第一金属线层；

在所述第一介质层中形成第一孔，并露出第一载片；和/或

所述将具有第二互连结构的第二载片与所述第一载片键合包括：

所述第二互连结构包括第二介质层和第二金属线层，通过将所述第二介质层与所述第一介质层键合，所述第二金属线层与所述第一金属线层键合，以将所述第二载片与所述第一载片键合，其中第二金属线层位于第二介质层中，并有部分露出第二介质层；和/或

所述根据第五孔至第一孔刻蚀第三载片至第一载片形成第一通孔包括：

以所述第五孔作为掩膜刻蚀第三载片，以所述第三孔作为掩膜刻蚀第二载片，以所述第一孔作为掩膜刻蚀第一载片。

5.根据权利要求4所述的多层堆叠垂直互连结构的形成方法，其特征在于，所述第三互连结构包括第三介质层和第三金属线层，所述第四互连结构包括第四介质层和第四金属线层，通过将所述第三介质层与所述第四介质层键合，所述第三金属线层与所述第四金属线层键合，以将所述第二载片与所述第三载片键合，其中第三金属线层位于第三介质层中，并有部分露出第三介质层，第四金属线层位于第四介质层中，并有部分露出第四介质层；和/或

所述第五互连结构具有第五介质层和第五金属线层，所述第五金属线层位于第五介质层中，并有部分露出第五介质层。