[发明专利]基于沟槽栅的逆导型IGBT在审
| 申请号： | 202310616682.8 | 申请日： | 2023-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN116504822A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 王天意;张庆雷;王波 | 申请（专利权）人： | 上海林众电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 201611 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于沟槽栅的逆导型IGBT，在IGBT关断时，器件承受负栅压二极管开始导通，重掺杂的P型掺杂区与P型掺杂的基区之间连通，相当于增大了二极管阳极的总掺杂浓度，提高了抗浪涌能力；另外，在IGBT导通时，器件承受正栅压，二极管区的沟道不会开启，重掺杂的P型掺杂区被隔断，不会影响二极管阳极的掺杂浓度，保持较低的空穴抽取速度以保证反向恢复过程具有更优软度；再者，二极管工作区的虚沟槽栅在二极管工作时作为二极管导通的控制栅，而在IGBT工作时作为IGBT的虚栅，有效提高了器件的表面利用率；最后，虚沟槽栅与沟槽栅受控于同一栅极，仅需一个栅极驱动器即可控制，有效降低器件的控制复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 沟槽 逆导型 igbt | ||
【主权项】：
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