[发明专利]半导体器件及制造存储器器件方法在审
| 申请号： | 202310613396.6 | 申请日： | 2023-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN116940122A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 林孟汉;黄家恩;杨世海 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B51/30 | 分类号： | H10B51/30;H10B51/20 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请的实施例公开了一种半导体器件及制造存储器器件的方法。半导体器件包括字线(WL)结构。该半导体器件包括位于WL结构上方的铁电层。该半导体器件包括位于铁电层上方的沟道层。该半导体器件包括位于沟道层上方的源极线(SL)结构。该半导体器件包括位于沟道层上方的位线(BL)结构。BL结构包括朝向SL结构横向延伸的部分。该半导体器件还包括介电层，介电层横向地插入在SL结构和BL结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 存储器 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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