[发明专利]一种晶圆沟槽腐蚀装置有效
| 申请号： | 202310603769.1 | 申请日： | 2023-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN116344411B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 冯永;胡仲波;王一超;蒋红全;周建余 | 申请（专利权）人： | 四川上特科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 成都诚中致达专利代理有限公司 51280 | 代理人： | 傅超 |
| 地址： | 629201 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种晶圆沟槽腐蚀装置，涉及半导体器件生产技术领域，包括：工作台、转移机构、晶圆架、吹气机构。工作台上依次设有腐蚀池、收集池和清洗池；转移机构包括沿工作台长度方向移动的横杆，横杆上设有两个对称布置且相向移动的夹持模块，夹持模块包括两个对称布置的夹杆，夹杆沿竖直和横杆的宽度方向移动，用于夹持晶圆架；晶圆架有多个，分布于腐蚀池、收集池和清洗池内，晶圆架上设有承载框，用于承载晶圆；吹气机构设于收集池内，包括穿设于收集池中的传动轴，传动轴上设有两个转杆，转杆上设有多个吹气口，用于向晶圆架吹气。将从腐蚀池取出的晶圆携带的蚀刻液收集回腐蚀池，减少浪费，在清洗之前减少蚀刻液的残留，减少废液的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 腐蚀 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川上特科技有限公司，未经四川上特科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310603769.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：检测游离B细胞刺激因子的方法
- 下一篇：一种镍基合金粉末用筛分装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
