[发明专利]多晶硅还原炉直流电源系统和控制设备在审
申请号: | 202310585914.8 | 申请日: | 2023-05-23 |
公开(公告)号: | CN116633119A | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 谭黎军;苏钟焕;杨圣彬;张世崇;付欢球;吴朝贤;阴祖强;陈光胜;王晶;赵孟娇;李纯源;刘小鹏 | 申请(专利权)人: | 特变电工衡阳变压器有限公司 |
主分类号: | H02M1/12 | 分类号: | H02M1/12;H02M1/00;H02M7/162;H02M3/158;C01B33/035 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 邓丹 |
地址: | 421001 湖南省衡阳*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请涉及一种多晶硅还原炉直流电源系统和控制设备,其中,多晶硅还原炉直流电源系统,包括:12脉波整流变压器和直流变换电路;12脉波整流变压器中分别采用星形绕组和三角形绕组连接两个三相晶闸管整流桥,用于调节和输出直流电压;直流变换电路,连接于三相晶闸管整流桥输出侧,用于调节直流电压,使调节后的直流电压为硅棒组提供电能进行处理。通过本申请中12脉波整流变压器中三相晶闸管整流桥的整流方式,以及直流变换电路的调节控制,能够有效抑制电源网侧的谐波电流,并输出直流电压对硅棒组进行处理,提供电能进行打压启动、加热还原处理,解决了采用额外配置抑制谐波电流,导致增加建设成本和控制复杂度,影响还原炉的生产效率的问题。 | ||
搜索关键词: | 多晶 还原 直流电源 系统 控制 设备 | ||
【主权项】:
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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