[发明专利]多晶硅还原炉直流电源系统和控制设备

权利要求书

1.一种多晶硅还原炉直流电源系统，其特征在于，包括：12脉波整流变压器和直流变换电路；所述12脉波整流变压器中分别采用星形绕组和三角形绕组连接两个三相晶闸管整流桥，用于调节和输出直流电压；

所述直流变换电路，连接于所述三相晶闸管整流桥输出侧，用于调节所述直流电压，使调节后的所述直流电压为硅棒组提供电能进行处理。

2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉直流电源系统，其特征在于，包括平波电抗器；所述平波电抗器串联接入所述三相晶闸管整流桥和所述直流变换电路之间，用于抑制所述直流电压的纹波。

3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉直流电源系统，其特征在于，所述12脉波整流变压器接入三相电源，通过调节所述整流桥中晶闸管触发角，以调节所述12脉波整流变压器输出的直流电压。

4.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉直流电源系统，其特征在于，所述直流变换电路包括若干晶体管开关、电感以及二极管；所述晶体管开关并联设置。

5.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉直流电源系统，其特征在于，所述直流变换电路采用载波移相调制，以抑制所述直流电压的纹波。

6.根据权利要求5所述的多晶硅还原炉直流电源系统，其特征在于，所述直流变换电路包括主控芯片，由所述主控芯片下发所述载波移相调制的指令。

7.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉直流电源系统，其特征在于，所述直流变换电路与控制器建立通信，通过所述控制器下发脉冲宽度调制信号，控制所述晶体管开关的占空比，以调节施加在所述硅棒组的直流电压。

8.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉直流电源系统，其特征在于，包括与所述硅棒组并联设置的直流侧滤波器，所述直流侧滤波器用于滤波和电压支撑。

9.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉直流电源系统，其特征在于，所述硅棒组为多组硅棒的串联/并联组合，由串联的开关相应控制每组硅棒。

10.一种多晶硅还原炉控制设备，其特征在于，包括如权利要求1-9任意一项所述的多晶硅还原炉直流电源系统。