[发明专利]一种SONOS存储器的制备方法在审
| 申请号： | 202310579912.8 | 申请日： | 2023-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN116546820A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 郭文雨;李小康;李士普 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 汪春艳 |
| 地址： | 201314*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SONOS存储器的制备方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，半导体衬底上依次堆叠有ONO层和栅极材料层，ONO层和栅极材料层外侧的半导体衬底上具有硅化物阻挡层区域；形成硅化物阻挡层，硅化物阻挡层覆盖硅化物阻挡层区域和栅极材料层；对硅化物阻挡层注入锗离子，锗离子的注入能量为预设能量取值的1.4倍，预设能量取值为xx，可以减少ONO层的边界处由于工艺波动、应力或其他原因产生刺突，增加了ONO层的边界处的均匀性，减少在浮动栅中产生的漏电电子，从而减少了水平堆积产生的隧道热电子，最终减少电荷在储电的氮化层中堆积形成的漏电，且最直观的效果便是WAT测试Ioff相关参数在管控区间内，CKBD/iCKBD的失效率降至最低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sonos 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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