[发明专利]红光LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310579586.0 | 申请日： | 2023-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN116646433A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 王亚宏;李森林;薛龙;廖寅生;赖玉财;董雪振 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 张敏 |
| 地址： | 361026 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种红光LED外延结构及其制备方法，所述红光LED外延结构从下至上依次包括衬底、缓冲层、n型半导体层、多量子阱层、p型空穴注入层以及p型半导体层，其中，所述p型空穴注入层包括依次堆叠的低温超晶格层和梯度升温组分渐变层，所述梯度升温组分渐变层的生长温度大于所述低温超晶格层的生长温度。本发明通过低温超晶格层和梯度升温组分渐变层的设置能够有效提高空穴的电流扩展能力、提高载流子复合效率和红光LED外延结构的晶体质量，进而提高红光LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 红光 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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