[发明专利]一种MIM电容制备方法在审
| 申请号： | 202310555237.5 | 申请日： | 2023-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN116471923A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 朱修殿;刘鹏飞;朱勇刚;陈小龙 | 申请（专利权）人： | 彩山微电子（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00;H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海旭新专利代理事务所(普通合伙) 31474 | 代理人： | 毛碧娟 |
| 地址： | 215127 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，公开了一种MIM电容制备方法，本发明方法包括步骤：对第一蚀刻材料进行沟槽蚀刻得到梯形沟槽；在有梯形沟槽的第一蚀刻材料上进行材料淀积；对淀积的材料进行化学机械抛光，得到包括梯形沟槽的第一蚀刻材料和嵌入的梯形淀积材料；在第一蚀刻材料和梯形淀积材料上进行第二蚀刻材料淀积；根据第一蚀刻材料和第二蚀刻材料设置第一介质和第二介质，得到包括介质、梯形淀积材料和蚀刻材料的MIM电容。通过本发明使得进行材料淀积时所淀积的各层材料较为均匀，提高了金属击穿电压，并且由于梯形淀积材料所在的沟槽为梯形，腰与下底边的夹角增大，使得相同的电容可以有更高的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mim 电容 制备 方法 | ||
【主权项】：
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