[发明专利]一种增强铪基铁电薄膜极化的热再唤醒操作方法及系统有效
申请号: | 202310553633.4 | 申请日: | 2023-05-17 |
公开(公告)号: | CN116313766B | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 王兴晟;张子冲;缪向水 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 夏倩 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种增强铪基铁电薄膜极化的热再唤醒操作方法及系统,属于微纳米电子技术领域,包括:S1、对铪基铁电薄膜进行加热升温;S2、向铪基铁电薄膜施加具有若干个周期的脉冲电压;S3、将铪基铁电薄膜降温至初始温度。本发明通过热再唤醒的操作,产生了一定量的氧空位,将非极化相转变为了极化相,能够以较低的成本、较为简单的操作,使得铪基铁电薄膜的极化值有较大的提升,大大提高了铪基铁电器件的性能。除此之外,本发明可以根据升高温度的不同进行多次极化的提升,大大提高了铪基铁电薄膜使用的灵活性,满足集成阵列中对具备高极化值铪基薄膜的需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 增强 铪基铁电 薄膜 极化 唤醒 操作方法 系统 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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