[发明专利]P-GaN HEMT动态建模方法、装置、设备及介质在审
| 申请号： | 202310552808.X | 申请日： | 2023-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN116796680A | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 黄汇钦 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553 | 代理人： | 李春林 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种P‑GaN HEMT动态建模方法、装置、设备及介质，所述方法包括：获取P‑GaN HEMT的SPICE模型以及预设时间内栅极端的电荷变化量；根据预设时间内栅极端的电荷变化量，更新所述SPICE模型。本发明根据预设时间内栅极端的电荷变化量，在原有的SPICE模型中栅极端的电荷计算公式中增加获取的电荷变化量，能够对萧特基金属接触所引起的阈值电压偏移进行修正，从而使得修正后的SPICE模型更加符合真实电路情况。 | ||
| 搜索关键词： | gan hemt 动态 建模 方法 装置 设备 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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