[发明专利]一种启动方法及GaN栅压高步进可选电压驱动芯片在审

专利信息
申请号: 202310551832.1 申请日: 2023-05-16
公开(公告)号: CN116667717A 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 苏通山 申请(专利权)人: 深圳市中航工控半导体有限公司
主分类号: H02P8/04 分类号: H02P8/04;H02P8/12;H02P8/36
代理公司: 深圳树贤专利代理事务所(普通合伙) 44705 代理人: 吴宁
地址: 518000 广东省深圳市南山区西丽街道*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请涉及一种启动方法及GaN栅压高步进可选电压驱动芯片,方法包括向步进电机发出低压高频驱动信号并检测步进电机在时间序列上的多个定子电流值;会绘制电流值曲线;比较电流值曲线与预设曲线的差值;升高驱动信号的频率与电压;多组比较点的差值波动明显时,增大驱动信号的电压值并检测步进电机的定子电流值,步进电机的定子电流值小于设定值时驱动信号的电压值持续上升以及在定子电流值呈现下降趋势时将驱动信号的电压值恢复正常电压值。本申请公开的启动方法及GaN栅压高步进可选电压驱动芯片,能够根据负载情况对频率与电压进行动态调整,用以启动带有负载的步进电机,用以降低启动过程中的发热量,延长步进电机的使用寿命。
搜索关键词: 一种 启动 方法 gan 栅压高 步进 可选 电压 驱动 芯片
【主权项】:
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