[发明专利]一种具有活化惰性C-H键功能的铜基配位聚合物的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202310548446.7 | 申请日： | 2023-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN116715857A | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 段春迎;王宇含;景旭 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C08G83/00 | 分类号： | C08G83/00;B01J31/12;C07D307/16;C07D317/30;C07D319/12;C07D307/10 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于光催化材料技术领域，特别涉及一种具有活化惰性C‑H键功能的铜基配位聚合物的制备方法及其应用。本发明方法制备的具有活化惰性C‑H键功能的铜基配位聚合物原料价格低廉、易合成，能够在温和的条件下实现醚类化合物C‑H键的功能化，且催化产物的产率较高。Cu‑DNP作为一种非均相催化剂，易于批量制备，催化效果优异并且具有良好的可回收性，有望以一种绿色和可持续的方式实现惰性C‑H键的功能化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 活化 惰性 功能 配位聚合 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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