[发明专利]一种等离子点火用SiC半导体材料、制备方法及电嘴在审
| 申请号： | 202310545420.7 | 申请日： | 2023-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN116675537A | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王波;牛垚;余杨;徐娇倩;周小楠;杨建锋;史忠旗;王继平 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622;C04B35/64;F02C7/266 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 崔方方 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明涉及导体材料制备领域，涉及一种等离子点火用SiC半导体材料、制备方法及电嘴，该材料按质量比30～70％的SiC粉末、10～20％的ZrO |
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| 搜索关键词： | 一种 等离子 点火 sic 半导体材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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