[发明专利]自愈特性的合金化硅基负极及其制备方法和电极在审
| 申请号： | 202310534114.3 | 申请日： | 2023-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN116598450A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 王泽华;魏思伟;蒋治亿 | 申请（专利权）人： | 江苏天合储能有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M4/1395;H01M4/134;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213031 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种自愈特性的合金化硅基负极的制备方法，包括以下步骤：将液态的Ga‑In‑Sn合金和3‑巯基丙酸酯加入到异丙醇中进行超声处理；将具有三维多孔结构的Si‑Ge合金加入到带有Ga‑In‑Sn纳米颗粒的异丙醇溶液中，再将复合溶液进行超声处理；对所述复合溶液抽滤除去过量的Ga‑In‑Sn合金，得到样品经加热后得到具有自愈性且具有纳米多孔结构的Si‑Ge负极材料。还涉及一种自愈特性的合金化硅基负极，包括上述自愈特性的合金化硅基负极的制备方法制得的Si‑Ge负极材料。通过牺牲部分能量密度，来提高硅基负极的循环性，同时利用Ga‑In‑Sn合金来对硅基材料进行改性来使其具有自愈合功能。本发明进一步涉及一种电极，包含上述自愈特性的合金化硅基负极。 | ||
| 搜索关键词： | 自愈 特性 合金 化硅基 负极 及其 制备 方法 电极 | ||
【主权项】：
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