[发明专利]半导体器件及半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 202310496226.4 | 申请日： | 2023-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN116565011A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 李新国 | 申请（专利权）人： | 杭州富芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 丁俊萍 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件，包括衬底、有源区、多个栅极结构、绝缘层、金属电极以及多个切换元件。有源区设置于衬底上。多个栅极结构设置于有源区上。绝缘层设置于多个栅极结构上。金属电极设置于绝缘层上并具有不同深度的多个金属连接指，多个金属连接指的每一个穿透绝缘层以接触对应的栅极结构或者，多个金属连接指的每一个穿透绝缘层及多个栅极结构的至少一个，以接触对应的栅极结构。多个切换元件分别连接多个金属连接指，以个别控制多个金属连接指接收电讯号或同步控制多个金属连接指接收电讯号。透过前述配置，控制多个栅极的导通以有效地控制导通沟道的开启，并降低半导体器件与衬底之间的漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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