[发明专利]一种采用接触浆料为掩膜的选择性发射极制备方法在审
| 申请号： | 202310480213.8 | 申请日： | 2023-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN116565035A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 任常瑞;符黎明;董建文 | 申请（专利权）人： | 常州时创能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种采用接触浆料为掩膜的选择性发射极制备方法，属于光伏技术领域；所述选择性发射极中采用耐腐蚀接触材料来制备选择性发射极的掩膜，使得重掺区和接触区的宽度一致，能够解决现有SE技术的重掺复合缺陷；所述选择性发射极的制备方法简单，不受扩散类型影响，适用于不同结构的电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 接触 浆料 选择性 发射极 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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