[发明专利]优化HKMG金属栅层台阶高度的方法在审
| 申请号： | 202310473521.8 | 申请日： | 2023-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN116453940A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 胡伟玲 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种优化HKMG金属栅层台阶高度的方法，提供衬底，衬底上形成有STI以定义出有源区，有源区上形成有不同图形密度的半导体结构，半导体结构包括：形成于有源上的源、漏区；形成于衬底上的层间介质层，层间介质层上形成有用于定义金属栅形成位置的沟槽；形成于沟槽上的叠层结构；在叠层结构上形成覆盖沟槽的金属栅层，金属栅层为第一厚度；在金属栅层上形成硅酸乙酯层，硅酸乙酯层为第二厚度；研磨硅酸乙酯层及其下方的金属栅层至金属栅层为目标厚度。本发明不仅能够减小了晶圆中心和边缘的台阶高度差异，有助于优化由于图形密度差异导致的金属栅台阶高度均匀性，工艺稳定性得到改善，晶圆中心和边缘及不同图形密度内器件电学性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 hkmg 金属 台阶 高度 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
