[发明专利]集成有LDMOS器件的晶圆在审
| 申请号： | 202310472148.4 | 申请日： | 2023-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN116799066A | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 汪琦;朱丽霞;章标 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开了一种集成有LDMOS器件的晶圆，该晶圆包括衬底和形成于衬底上的多个元胞器件，多个元胞器件排成阵列，对于任一元胞器件，包括：栅极，其形成于衬底上方，栅极和衬底之间形成有栅介质层，栅极为环形；STI结构，其形成于衬底中且位于栅极的下方，STI结构为环形，STI结构位于栅极环绕的区域内，STI结构和栅极具有交叠的区域；衬底中在STI结构环绕的区域内形成有第一重掺杂区，栅极周侧的衬底中形成有至少一个第二重掺杂区，第二重掺杂区中形成有第三重掺杂区，栅极与相邻元胞器件的栅极通过第二重掺杂区实现电性连接，第二重掺杂区的个数与该元胞器件相邻的元胞器件的个数相同；其中，第一重掺杂区和第二重掺杂区中掺杂有第一类型的杂质，第三重掺杂区中掺杂有第二类型的杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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