[发明专利]一种边角强化的R-T-B稀土永磁体及其制备方法在审
| 申请号： | 202310429988.2 | 申请日： | 2023-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN116469635A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 陈彪;付松;吴朗靖;杨晓露;章兆能;王从艺 | 申请（专利权）人： | 浙江英洛华磁业有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人： | 林君勇 |
| 地址： | 322118 浙江省金华市东*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种边角强化的R‑T‑B稀土永磁体及其制备方法，将磁体扩散源涂覆面分为边角区和非边角区，磁体的边角区涂覆含量Zr、Ti或Nb元素的扩散源，而磁体非边角区则涂覆不含上述元素的重稀土元素扩散源。在晶界扩散过程中，Zr、Ti或Nb元素扩散到磁体的晶界富R相中，通过固溶或生成第二相析出物的方式强化磁体的晶界富R相，从而提高磁体边角的强度。本发明通过分区晶界扩散的方式提高磁体边角区的力学性能而不影响磁体的非边角区，能够在不降低磁体磁性能的情况下显著降低磁体在运输和装配过程中的缺边掉角率，对于降低钕铁硼产品的成本具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 边角 强化 稀土 永磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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