[发明专利]一种边角强化的R-T-B稀土永磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种边角强化的R-T-B稀土永磁体，其特征在于所述磁体包括以下质量分数的成分：

R：28.5～34.0wt.％，R由RL和RH组成，RH含量为磁体质量的0.1wt.％～10.0wt.％，RH为Dy、Tb、Ho中的至少一种；R的余量为RL，RL表示从Nd、Pr、La、Ce、Er、Gd、Sm、Tm、Lu、Y中选出的至少含有轻稀土元素的一种或多种元素；所述轻稀土元素为La、Ce、Pr、Nd中的一种或多种；

B：0.85～1.1wt.％，

M：0.01～8.0wt.％，M表示从Al、Cu、Ga、Ni、Zn、Sn、Mn、Cr、Zr、Ti、Nb中选出的至少含有M和X的多种元素，X为Zr、Ti、Nb中的一种或多种；M为Al、Ga、Cu中的一种或多种；

余量为T及其他不可避免杂质，T为Fe或Fe和Co；

所述磁体存在至少一个表面A，所述表面A的边角区的轻稀土元素含量不低于表面A平均轻稀土含量；所述轻稀土元素为La、Ce、Pr、Nd中的一种或多种；且表面A的边角区含有X，X为Zr、Ti、Nb中的一种或多种。

2.如权利要求1所述的边角强化的R-T-B稀土永磁体，其特征在于所述磁体距表面A垂直距离为0.6mm的深度范围内，边角体区域的X含量为0.05～1.2wt.％；所述磁体的平均X含量为0.05～0.8wt.％。

3.如权利要求1所述的边角强化的R-T-B稀土永磁体，其特征在于所述边角区是指距离磁体边线0～Kmm宽度范围内的表面区域，K为边角区域宽度，K的范围为0.2～0.6，非边角区是指距离边线Kmm宽度范围以外的表面区域。

4.如权利要求2所述的边角强化的R-T-B稀土永磁体，其特征在于所述边角体区域为边角区与距表面A垂直距离为0.6mm深度所围成的体区域；磁体的非边角体区域中不含X，或非边角体区域中的X含量低于磁体边角体区域的X含量；所述非边角体区域为边角体区域以外的磁体区域。

5.如权利要求1～4之一所述的边角强化的R-T-B稀土永磁体，其特征在于所述边角强化的R-T-B稀土永磁体按照以下方法制备得到：

(1)在R-T-B磁体基体的扩散表面设置H1扩散源涂覆区和H2扩散源涂覆区，分区涂覆扩散源，H1扩散源涂覆区涂覆扩散源H1，H2扩散源涂覆区涂覆扩散源H2；所述H1扩散源涂覆区为扩散表面的边角区，H2扩散源涂覆区为扩散表面的非边角区；

所述扩散源H1包括如下质量分数的成分：

R1：50.0～80.0wt.％，R1包含RL1和RH1，RH1为Dy、Tb、Ho中的一种或多种，且占H1质量比的30.0～70.0wt.％，R1的余量为RL1，RL1表示从Nd、Pr、La、Ce、Er、Gd、Sm、Tm、Lu、Y中选出的至少含有轻稀土元素的一种或多种元素；所述轻稀土元素为La、Ce、Pr、Nd中的一种或多种；

X1：10～30wt.％，X1为Zr、Ti、Nb中的一种或多种；

M1：5.0～40.0wt.％，M1为Al、Ga、Cu中的一种或多种；

所述扩散源H2为含重稀土元素的纯金属、合金或化合物中的一种或多种混合物，所述重稀土元素为Dy、Tb、Ho中至少一种；

且所述扩散源H1中的重稀土元素含量低于H2中的重稀土元素含量；

(2)将分区涂覆扩散源的磁体进行扩散处理，扩散温度为800℃～1000℃，保温时间为6～30h，冷却后再进行回火处理，得到所述R-T-B稀土永磁体。