[发明专利]一种芯片集成的微型双平面磁场线圈设计方法在审
| 申请号： | 202310429397.5 | 申请日： | 2023-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN116542211A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 叶茂;王安康;唐钧剑;周鹏;梁子华;胡晋升;胡艮;刘璐 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G06F30/394 | 分类号： | G06F30/394;G06F30/398;G06F111/06 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 吴小灿 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种芯片集成的微型双平面磁场线圈设计方法，首先，采用目标场法对线圈进行逆向设计，将流函数进行二维傅里叶级数展开，根据流函数与电流密度关系，将电流密度表达式代入毕奥‑萨伐尔定律得到矩阵方程，引入正则化矩阵解决方程病态解问题，对流函数等高线进行离散得到线圈结构；其次，采用智能算法优化线圈权重系数，保证可加工的前提下，得到实现最佳磁场均匀度的线圈构型；然后，对设计的线圈进行有限元仿真分析，分析线圈磁场均匀性、线圈常数等指标；最后使用微加工工艺完成磁场线圈制作，实现了芯片集成的毫米级高均匀度特性的磁场线圈设计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 集成 微型 平面 磁场 线圈 设计 方法 | ||
【主权项】：
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